AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF สําหรับการสื่อสารไร้สายและ GPS

การเจรจาต่อรอง
MOQ
ต่อรองได้
ราคา
AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF for Wireless Communications and GPS
คุณสมบัติ คลังภาพ รายละเอียดสินค้า พูดคุยกันเดี๋ยวนี้
คุณสมบัติ
ข้อมูลจำเพาะ
ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
ขนาด: 0402/0603/0805/1008/1210/1812
โครงสร้างของ Magnetizer: เซรามิกหรือเฟอร์ไรต์
ตัวเหนี่ยวนำ: ปรับแต่ง
พิมพ์: ตัวเหนี่ยวนำชิป SMT
อุณหภูมิในการทำงาน: -40°C ถึง +125°C
เน้น:

อินดูเตอร์ชิปเซรามิก SMD

,

อินดูเตอร์ชิป Q สูงสําหรับ GPS

,

อินดูเตอร์ SRF สูงสําหรับการสื่อสารไร้สาย

ข้อมูลพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด: จีน
ชื่อแบรนด์: Shinhom
ได้รับการรับรอง: RoHS
หมายเลขรุ่น: เอไอเอสซี ซีรีส์
การชำระเงิน
รายละเอียดการบรรจุ: กล่องกระดาษ
เวลาการส่งมอบ: 4~8 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
สามารถในการผลิต: 10,00000/เดือน
รายละเอียดสินค้า

รายการAISC ซีรีส์SMD wire-wound ceramic inductor features a high-frequency design and wire-wound structure, offering high Q factor and high self-resonant frequency characteristics ซึ่งเป็นตัวประกอบที่มีความถี่สูง และมีความถี่สูงensuring excellent signal transmission performance in high-frequency circuits การประกันผลการส่งสัญญาณที่ดีที่สุดในวงจรความถี่สูงผลิตภัณฑ์นี้มีแกนเซรามิกเป็นมาตรฐาน, มีแกนเฟอริทเป็นตัวเลือก, เหมาะสําหรับความถี่และความต้องการการระตุ้นที่แตกต่างกันความน่าเชื่อถือสูงและความมั่นคงทางอุณหภูมิที่ดีเยี่ยม รับประกันการทํางานที่มั่นคงในระยะยาว ภายใต้สภาพต่างๆ. หลายขนาดมาตรฐานจาก 0402 ถึง 1812 มีให้เลือกเพื่อตอบสนองความต้องการการวางแผน PCB ที่แตกต่างกันและระบบโทรคมนาคม.

ลักษณะ:

  • Ceramic Core ((Ferrite core optional) ครับ
  • การออกแบบความถี่สูง
  • ค่า Q ที่ดีเยี่ยม
  • ดีมาก SRF
  • ความน่าเชื่อถือสูง
  • ความมั่นคงทางความร้อนที่ดี
  • ขนาด 0402/0603/0805/1008/1210/1812

การใช้งาน:

  • โมเดม
  • โทรศัพท์มือถือ
  • โทรศัพท์ไร้สาย
  • ระบบตั้งตําแหน่งโลก
  • ระบบโทรคมนาคม

ข้อมูลทางเทคนิค:

  • Testing: (Equivalent acceptable),lnductance: HP4191A,Q:HP4291A,SRF:HP8753B,RDC:measured @ 25°C
  • Operating Temperature: Ceramic -40°C ถึง +125°C
  • Pad metalization: Tungsten-nickel with gold flash แพดเมทาไลเซชั่น:
  • โปรแกรม Solder: Wave, Reflow, Vapor Phase
  • ความสามารถในการผสม: Max 260 ° C สําหรับ 10 วินาที
ขนาด ระยะความแรงดึงดูด ขนาด ((มม) L*W*H
0402

1nH ถึง 400nH (Ceramic Core)

1.2*0.6*06
0603 1.6nH ถึง 390nH (Ceramic Core) 168 คูณ 1.0 คูณ 0.85
0805 2.2nH ถึง 6.8uH (Ceramic Core) 22 คูณ 1.6 คูณ 13
1008 3.9nH ถึง 200nH (Ceramic Core) 265 คูณ 2.6 คูณ 2.0
1210 3.9nH ถึง 8.6uH (Ceramic Core) 335 คูณ 2.7 คูณ 2.1
1210 เอฟ 1.2uH ถึง 470uH (Ferrite core) 335 คูณ 2.7 คูณ 2.1
1812 เอฟ

10uH ถึง 1000uH (Ferrite core)

456 คูณ 3.25 คูณ 30

                              AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF สําหรับการสื่อสารไร้สายและ GPS

                        AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF สําหรับการสื่อสารไร้สายและ GPS

หมายเหตุ: ขนาดของสินค้าและความชักชวนสามารถปรับแต่งได้

FAQ

Q: How to choose between ceramic core and ferrite core? วิธีการเลือกระหว่างเซรามิกคอร์และเฟอริทคอร์

A: เซรามิคคอร์offer higher Q factor and better high-frequency characteristics, suitable for RF and microwave bands และมีคุณสมบัติระดับความถี่ที่สูงกว่าเฟริทคอร์have higher magnetic permeability, allowing larger inductance values in the same volume, suitable for lower frequency applications or applications requiring higher inductance values มีความสามารถในการผ่านแม่เหล็กที่สูงขึ้น โดยการอนุญาตให้มีค่าการดึงดูดที่ใหญ่ขึ้นในปริมาณเดียวกัน เหมาะสําหรับการใช้งานความถี่ที่ต่ํากว่า หรือการใช้งานที่ต้องการค่าการดึงดูดที่สูงกว่าเซรามิคคือการตั้งค่ามาตรฐานขณะที่เฟอริทเป็นตัวเลือก

Q: ประโยชน์ของ Q factor ที่สูงสําหรับการออกแบบวงจรคืออะไร?

A:ธาตุ Q สูง หมายถึงการสูญเสียพลังงานที่ต่ํากว่า และการเลือกความถี่ที่ดีขึ้นในความถี่เฉพาะปรับปรุงการปฏิเสธกรองนอกวงจรและเพิ่มความมั่นคงความถี่ของออสซิลเลาเตอร์

Q: ขนาดบรรจุของชุดนี้มีขนาดไหน?

A:มี 6 ขนาดมาตรฐาน:04020603, 0805, 1008, 1210, และ 1812สามารถเลือกได้อย่างยืดหยุ่น โดยใช้พื้นที่ PCB และความต้องการการชัก

Q: ข้อดีของโครงสร้างเส้นใยบาดเทียบกับโครงสร้างหลายชั้นคืออะไร?

A:โครงสร้างสาย-แผลให้มี Q Factor และความจุระดับสูงกว่าที่ความถี่สูง โดยเฉพาะสําหรับการใช้งานความถี่สูงที่ต้องการ Q Factor และความถี่สูงเช่น RF front-ends และเครื่องกระตุ้นพลังงาน.

แนะนำผลิตภัณฑ์
ติดต่อกับพวกเรา
ผู้ติดต่อ : Jack wang
โทร : 13909218465
แฟกซ์ : 86-029-87851840
อักขระที่เหลืออยู่(20/3000)