products
บ้าน /ผลิตภัณฑ์/

chip power inductor

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
ชื่อผู้ติดต่อ : Jack wang
หมายเลขโทรศัพท์ : 13909218465
WhatsApp : +8615191866907
คำหลัก [ chip power inductor ] การจับคู่ 31 ผลิตภัณฑ์.
อินดูเตอร์ชิปแผลไฟฟ้าที่ป้องกัน AISC0402C ซีรี่ย์ที่มีการก่อสร้างสายไฟฟ้าที่ป้องกันและการออกแบบที่ป้องกันด้วยแม่เหล็กใน 0402 แพ็คเกจเล็ก

อินดูเตอร์ชิปแผลไฟฟ้าที่ป้องกัน AISC0402C ซีรี่ย์ที่มีการก่อสร้างสายไฟฟ้าที่ป้องกันและการออกแบบที่ป้องกันด้วยแม่เหล็กใน 0402 แพ็คเกจเล็ก

MOQ: 5,000
เน้น

สายแผลการก่อสร้างที่ป้องกันสายแผลชิปอินดูเตอร์

,

การออกแบบที่ป้องกันด้วยแม่เหล็ก AISC0402C ซีรีส์

,

0402 เครื่องปรับพลังงานแบบซับซ้อน
เวลาการส่งมอบ 2~8 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน แอล/C,ที/ที
สถานที่กำเนิด จีน
ชื่อแบรนด์ SHINHOM
กระแสไฟสูง DR Power Smd Shielded Inductor Surface Mount

กระแสไฟสูง DR Power Smd Shielded Inductor Surface Mount

ราคา: ต่อรองได้ MOQ: 5000pcs
ลักษณะการใช้งาน ตัวเหนี่ยวนำไฟฟ้า SMD
ประเภท ตัวเหนี่ยวนำป้องกัน
ช่วงเหนี่ยวนำ 0.47uH ถึง 330uH
ช่วงปัจจุบัน 0.38A ถึง 13.8A
อุณหภูมิในการทำงาน -40 ℃ถึง 85 ℃
แม่เหล็กอีพ็อกซี่ SMT ตัวเหนี่ยวนำ SMD กระแสสูงที่มีฉนวนป้องกัน

แม่เหล็กอีพ็อกซี่ SMT ตัวเหนี่ยวนำ SMD กระแสสูงที่มีฉนวนป้องกัน

ราคา: ต่อรองได้ MOQ: 5000pcs
ลักษณะการใช้งาน ตัวเหนี่ยวนำไฟฟ้า SMD
ประเภท ตัวเหนี่ยวนำป้องกัน
ช่วงเหนี่ยวนำ 0.47uH ถึง 330uH
ช่วงปัจจุบัน 0.38A ถึง 13.8A
อุณหภูมิในการทำงาน -40 ℃ถึง 85 ℃
AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF สําหรับการสื่อสารไร้สายและ GPS

AISC Series SMD Wire Wound Ceramic Chip Inductor High Q High SRF สําหรับการสื่อสารไร้สายและ GPS

ราคา: ต่อรองได้ MOQ: การเจรจาต่อรอง
ความถี่ในการทำงาน ความถี่สูง
ขนาด 0402/0603/0805/1008/1210/1812
โครงสร้างของ Magnetizer เซรามิกหรือเฟอร์ไรต์
ตัวเหนี่ยวนำ ปรับแต่ง
พิมพ์ ตัวเหนี่ยวนำชิป SMT
พื้นผิวเหนี่ยวนำลูกปัดประเภท SMB ติดตั้งกับแกนแม่เหล็กฟลักซ์เป็นศูนย์

พื้นผิวเหนี่ยวนำลูกปัดประเภท SMB ติดตั้งกับแกนแม่เหล็กฟลักซ์เป็นศูนย์

ราคา: ต่อรองได้ MOQ: 5000pcs
ขนาด 5.6 * 5.8 * 3.8mm
ย้อนกลับ 2 * 1TS
วัสดุ NiZn
สภาพการใช้งาน อีเอ็มซี / อีเอ็มไอ
ความต้านทาน 25Ω Min. @ 100MHz
ตัวเหนี่ยวนำชิป SMD ป้องกันสนามแม่เหล็กและเม็ดเฟอร์ไรต์พร้อมตัวเหนี่ยวนำ 1µH–100µH สำหรับการกรอง EMI/RFI

ตัวเหนี่ยวนำชิป SMD ป้องกันสนามแม่เหล็กและเม็ดเฟอร์ไรต์พร้อมตัวเหนี่ยวนำ 1µH–100µH สำหรับการกรอง EMI/RFI

MOQ: 5,000
ขนาดบรรจุภัณฑ์ 0402/0603/0805/1008/1206
ช่วงการเหนี่ยวนำ 1µH ถึง 100µH
ความอดทน ± 20%
เงื่อนไขการทดสอบ 100kHz, 0.1Vrms
อุณหภูมิในการทำงาน -40 ° C ถึง +105 ° C
ตัวเหนี่ยวนำชิปเฟอร์ไรต์ DR ชิปเซรามิกฐานเซรามิกไม่มีฉนวนหุ้ม

ตัวเหนี่ยวนำชิปเฟอร์ไรต์ DR ชิปเซรามิกฐานเซรามิกไม่มีฉนวนหุ้ม

ราคา: ต่อรองได้ MOQ: 5000pcs
การป้องกัน ไม่ใช่