ตัวเหนี่ยวนำเซรามิกหลายชั้นแบบชิป High Q รุ่น AIML0402C สำหรับโมดูล RF และ Bluetooth

5,000 ชิ้น
MOQ
ต่อรองได้
ราคา
High Q Multilayer Ceramic Chip Inductor AIML0402C  for RF and Bluetooth Modules
คุณสมบัติ คลังภาพ รายละเอียดสินค้า พูดคุยกันเดี๋ยวนี้
คุณสมบัติ
ข้อมูลจำเพาะ
การติดตั้ง: smt
ตัวเหนี่ยวนำ: 1nH ถึง 100nH
ช่วงปัจจุบัน: 100mA ถึง 300mA
แอปพลิเคชัน: ฮาร์ดดิสก์ โมเด็ม เครื่องพิมพ์
บรรจุภัณฑ์: ติดพื้นผิว
พิมพ์: ตัวเหนี่ยวนำชิป
เน้น:

ตัวเหนี่ยวนำเซรามิกหลายชั้นแบบชิป

,

ตัวเหนี่ยวนำ RF AIML0402C

,

ตัวเหนี่ยวนำชิปสำหรับโมดูล Bluetooth

ข้อมูลพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด: จีน
ชื่อแบรนด์: Shinhom
ได้รับการรับรอง: RoHS
หมายเลขรุ่น: AIML0402C
การชำระเงิน
รายละเอียดการบรรจุ: กล่องกระดาษ
เวลาการส่งมอบ: 4~8 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
สามารถในการผลิต: 10,00000/เดือน
รายละเอียดสินค้า

รายการอินดูเตอร์ชิปเซรามิกซีรีย์ AIML0402Cใช้โครงสร้างเซรามิกหลายชั้นและการออกแบบวงจรแม่เหล็กปิด มันมีความถี่ที่สะท้อนตัวเองสูง, DCR ต่ํา, และคุณสมบัติที่ต่อต้านกระแสเสียงการประกันความสมบูรณ์แบบของการส่งสัญญาณในวงจรความถี่สูงระยะความแรงอัด: 1nH ถึง 100nH กล่องขนาดเล็กมาก 0402 ให้ความสามารถในการผสมที่ดีและเหมาะสําหรับกระบวนการวาง SMT อัตโนมัติมันถูกใช้อย่างแพร่หลายในสื่อสารไร้สายความถี่สูง, โมดูล RF, อุปกรณ์ Bluetooth, GPS, ระบบเครือข่าย, และสินค้าคอมพิวเตอร์

ลักษณะ
  • โครงสร้างเซรามิคหลายชั้น

  • วงจรแม่เหล็กปิด

  • ความถี่ที่สะท้อนตัวเองสูง (SRF)

  • DCR ต่ํา

  • ป้องกันการกระแทกเสียง

  • ความสามารถในการผสมผสานที่ดี

  • ความน่าเชื่อถือสูง ✅ อายุการใช้งานยาว

  • สอดคล้องกับ RoHS ตอบสนองมาตรฐานสิ่งแวดล้อม

การใช้งาน
  • การสื่อสารไร้สายความถี่สูง

  • โมดูล RF ฝั่งหน้า

  • อุปกรณ์ Bluetooth

  • ระบบตั้งตําแหน่ง GPS

  • อุปกรณ์สื่อสารไร้สาย

  • ระบบเครือข่าย

  • สินค้าคอมพิวเตอร์

  • อุปกรณ์ปลายทางมือถือ

ตัวเหนี่ยวนำเซรามิกหลายชั้นแบบชิป High Q รุ่น AIML0402C สำหรับโมดูล RF และ Bluetooth


FAQ

Q: ข้อดีของโครงสร้างเซรามิกหลายชั้นเมื่อเทียบกับโครงสร้างสายลวดคืออะไร?

ตอบ: โครงสร้างเซรามิกหลายชั้นใช้กระบวนการพิมพ์และการเผาผลาญทําให้เหมาะสําหรับการใช้งานความถี่สูงเมื่อเปรียบเทียบกับโครงสร้างสายลวด, อินดูเตอร์เซรามิกหลายชั้นให้ปัจจัย Q ที่สูงกว่าและความถี่ที่สะท้อนตัวเองที่สูงกว่าที่ความถี่สูง, โดยไม่มีปัญหาความอิ่มตัวของแกน.พวกมันเหมาะสําหรับวงจร RF และวงจรไมโครเวฟ.

Q: ข้อดีของการออกแบบวงจรแม่เหล็กปิดคืออะไร?

ตอบ: วงจรแม่เหล็กปิดจํากัดการไหลของแม่เหล็กภายในแกนในขณะที่ป้องกันการเชื่อมต่อแม่เหล็ก crosstalk ระหว่างส่วนประกอบที่อยู่ใกล้เคียงในการวางแผน PCB ความหนาแน่นสูง การออกแบบวงจรแม่เหล็กปิดช่วยปรับปรุงความสมบูรณ์แบบของสัญญาณและความเข้ากันของระบบด้วยแม่เหล็กไฟฟ้าได้อย่างสําคัญ

แนะนำผลิตภัณฑ์
ติดต่อกับพวกเรา
ผู้ติดต่อ : Jack wang
โทร : 13909218465
แฟกซ์ : 86-029-87851840
อักขระที่เหลืออยู่(20/3000)