จากสถานีฐานสู่อุปกรณ์ทดสอบ: การวิเคราะห์ฉากการใช้งานสำหรับตัวต้านทาน RF อย่างสมบูรณ์

ความท้าทาย:

• ส่วนหน้า RF ของสถานีฐาน 5G ต้องจัดการกำลังส่งตั้งแต่หลายสิบถึงหลายร้อยวัตต์

• ในอาร์เรย์เสาอากาศ Massive MIMO เครือข่ายการกระจายสัญญาณจะแบ่งกำลังไปยังหลายช่องสัญญาณ

• กำลังสะท้อนจากแต่ละช่องสัญญาณ หากไม่ถูกดูดซับอย่างมีประสิทธิภาพ อาจย้อนกลับไปยังโมดูลเครื่องขยายกำลัง

• ผลที่ตามมา: ประสิทธิภาพของ PA ลดลง และในกรณีที่รุนแรง อุปกรณ์อาจเสียหาย

โซลูชันของ SHINHOM:

• ตัวเทอร์มิเนเตอร์แบบยึดหน้าแปลน

• รุ่นทั่วไป: RFR50N-800CT93401A

• การจัดการกำลัง: สูงสุด 800W

• VSWR ต่ำถึง 1.20:1 (DC ถึง 1.2GHz)

• ดูดซับกำลังสะท้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อปกป้องโมดูล PA

• โครงสร้างหน้าแปลนพร้อมซับสเตรต AlN รับประกันการนำความร้อนอย่างรวดเร็วเพื่อการทำงานที่เสถียรภายใต้กำลังสูง

สถานการณ์ที่ 2: อุปกรณ์ทดสอบและวัด – ตัวลดทอนช่วยให้ควบคุมสัญญาณได้อย่างแม่นยำ

ความท้าทาย:

• สเปกตรัมอะนาไลเซอร์ เครื่องกำเนิดสัญญาณ และเครือข่ายอะนาไลเซอร์ อาศัยการลดทอนสัญญาณที่แม่นยำ

• ตัวลดทอนต้องให้การลดทอนที่เสถียรตลอดแถบความถี่การทำงานทั้งหมด

• ต้องรักษา VSWR ต่ำและ Flatness ที่ดี

• ส่วนหน้าต้องจัดการสัญญาณกำลังสูงจากอุปกรณ์ที่อยู่ภายใต้การทดสอบ

• สัญญาณต้องผ่านไปได้โดยไม่ผิดเพี้ยน

• การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอาจส่งผลต่อความแม่นยำของการลดทอน

โซลูชันของ SHINHOM:

• ซีรีส์ตัวลดทอนชิป (แพ็คเกจ CA-A, CA-C)

• ค่าลดทอนมาตรฐาน: 30dB, ความคลาดเคลื่อน ±1dB

• สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: ±150ppm/°C, เสถียรตลอดช่วงอุณหภูมิ

• ช่วงอุณหภูมิการทำงาน: -55°C ถึง +150°C

• แพ็คเกจชิป รองรับการวางตำแหน่ง SMT เหมาะสำหรับการออกแบบ PCB ความหนาแน่นสูง

• ซับสเตรต AlN + กระบวนการฟิล์มบาง

• VSWR ต่ำถึง 1.20:1 (DC ถึง 3GHz)

• การสูญเสียการแทรกที่เสถียรพร้อมประสิทธิภาพการระงับฮาร์มอนิกที่ยอดเยี่ยม

ความท้าทาย:

• ไอโซเลเตอร์ที่เอาต์พุตของ PA ป้องกันไม่ให้กำลังสะท้อนย้อนกลับ

• พอร์ตที่สามของไอโซเลเตอร์ต้องการตัวเทอร์มิเนเตอร์กำลังสูงเพื่อดูดซับพลังงานสะท้อน

• ความจุของกำลังไม่เพียงพอหรือการกระจายความร้อนที่ไม่ดีในตัวเทอร์มิเนเตอร์ อาจทำให้ไอโซเลเตอร์ล้มเหลว

• ผลที่ตามมา: ความเสียหายต่อโมดูล PA

โซลูชันของ SHINHOM:

• ซีรีส์ตัวเทอร์มิเนเตอร์แบบยึดหน้าแปลน (แพ็คเกจ TX-A, TX-B)

• รุ่นทั่วไป: RFR50N-500CT2732A

• การจัดการกำลัง: 500W

• VSWR ดีกว่า 1.30:1 (DC ถึง 2.5GHz)

• โครงสร้างแบบยึดหน้าแปลนสำหรับการยึดติดโดยตรงกับพื้นผิวฮีทซิงค์

• ซับสเตรต AlN ที่มีค่าการนำความร้อนสูง (170-200W/m·K)

• ความร้อนจะถูกนำไปยังระบบระบายความร้อนอย่างรวดเร็ว ป้องกันการสะสมจุดร้อน